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researcher / Didier Chaussende

Didier Chaussende

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Disciplines:

Civil engineering

Materials science and engineering

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Directed Thesis:

Nouveau matériau semi-conducteur à large bande interdite à base de carbures ternaires - Enquête sur Al4SiC4

Croissance en phase gazeuse d' Al4SiC4 et étude d'hétérostructures dans lesystème Al-Si-C sur SiC

Cubic Silicon Carbide For Direct Photoelectrochemical Water Splitting

Étude du procédé de croissance en solution à haute température pour le développement de substrats de 4H-SiC fortement dopes

Modélisation des procédes de croissance de SiC en phase gazeuse (PVT) et en phase liquide (TSSG)

Incorporation d'azote et stabilité des polytypes de la croissance en phase gazeuse de monocristaux de SiC

Elaboration et caractérisation de couches de nitrure d'aluminium AlN par CVD haute température en chimie chlorée

Cristallogénèse de carbure de silicium cubique en solution à haute température

Croissance de monocristaux massifs de carbure de silicium cubique