researcher / Gérard Ghibaudo

Gérard Ghibaudo

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Disciplines:

Applied sciences
Electrical engineering
Industrial engineering
Materials science and engineering
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Directed Thesis:

Démonstration de l’intérêt des dispositifs multi-grilles auto-alignées pour les nœuds sub-10nm
Analyse de la fiabilité de mémoires à changement de phase embarquées basées sur des matériaux innovants
Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm
Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor
Fluctuations basse fréquence et variabilité dans les composants CMOS 32nm
Développement de modèles pour l'évaluation des performances circuit des technologies CMOS avancées sub-20nm
Etude d'architectures et d'empilements innovants de mémoires Split-Gate (grille séparée) à couche de piégeage discret
Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence
Transport properties and low-frequency noise in low-dimensional structures
Caractérisation de transport des électrons dans les transistors MOS à canal court
Etude de dispositifs à film mince pour les technologies sub-22nm basse consommation
Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées
Fabrication et caractérisation physico-chimique et électrique d'empilements TiN/Ta2O5/Tin : application aux capacités MIM pour les circuits intégrés analogiques et radiofréquence
Caractérisation et fiabilité des oxydes ultra fins et des diélectriques à forte permittivité issue des technologies CMOS 45nm et en deçà
Caractérisation et modélisation de diélectriques de grille des technologies CMOS 50nm
Impact des fluctuations technologiques sur l'appariement du transistor MOS des filières 0. 18 et 0. 12 [mu]m
Etude des mécanismes de dégradation lors du claquage des oxydes de grille ultra minces : application à la fiabilité des technologies CMOS SUB - 0.12 [mu]m
Impact des diélectriques à forte permittivité sur les performances des transistors MOS 0. 13 µm avancés
Etude des mécanismes de dégradation et de défaillance des oxydes ultra-minces : application à la fiabilité des technologies CMOS sub-0.25µm
Étude du transport électrique et de la fiabilité dans les isolants des mémoires non volatiles a grille flottante
Étude en profondeur de l'interface si-siO2 par la technique du pompage de charges
Étude des mécanismes de défaillance des diélectriques de grille minces pour les technologies CMOS avancées
Étude des propriétés de dégradation du système SI/SIO#2 : application a la fiabilité des filières CMOS submicroniques
Développement d'une méthode de test d'electromigration au niveau plaquette : Application a des filières ULSI
Etude de la restructuration de couches de silicium désordonné par implantation ionique : effet du recuit thermique sur les propriétés électriques et structurales