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Sorin Cristoloveanu
Sorin Cristoloveanu
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Applied sciences
Electrical engineering
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Directed Thesis:
Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI
Nouvelles méthodes pseudo-MOSFET pour la caractérisation des substrats SOI avancés
Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant
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Architectures innovantes pour les transistors SOI
Caractérisation électrique des substrats SOI innovants
Solutions technologiques avancées pour CMOS ultime : grille métal damascene, diélectrique high-k, SOI avec film mince, alumine enterrée et plan de masse
Nouvelles architectures de mémoires embarquées compatibles CMOS
Analyse de transistors SOI à dimensions critiques et architectures multi-grilles
Etude des matériaux unibond et développement de transistors innovants sur soi
Etude des structures MOSFET avancées sur SOI pour les applications basse consommation
Modélisation et caractérisation des transistors SOI : du pseudo-MOSFET au MOSFET submicronique ultramince
Dopage du carbure de silicium par implantation ionique
Caractérisation et modélisation des éléments actifs de technologies CMOS sur silicium sur isolant pour des applications à haute température (125-350 degrés celsius)
Étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procédés SIMOX Faible Dose et Smart-Cut®
Etude de dispositifs MOS fabriqués sur carbure de silicium pour la microélectronique haute température
Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant
Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques
Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température