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Francis Balestra
Francis Balestra
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Applied sciences
Electrical engineering
Industrial engineering
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Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm
Etude de dispositifs MOS de longueur de grille inférieure ou égale à 30 nm
Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant
Nouvelles architectures de grille pour les générations CMOS 0. 1 µm et en deça
Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 µm : influence de l'architecture des composants
Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés
Etude des dispositifs MOS de longueur de grille inférieure à 0,1 µm : vers les limites de l'intégration du CMOS sur silicium
Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques
Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0. 5 µm sub-0. 1 µm)
Propriétés électriques et modèles physiques des composants mos/soi (simox) à température ambiante et cryogénique