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Dominique Planson
Dominique Planson
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Electrical engineering
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Caractérisations des défauts profonds du SiC et pour l'optimisation des performances des composants haute tension
Conception d’une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN), étude, simulation et réalisation d’un démonstrateur
Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium
Croissance de la phase MAX sur SiC contact ohmique stable et fiable à haute température
Technologie d’intégration monolithique des JFET latéraux
Conception de protections périphériques applicables aux diodes Schottky réalisées sur diamant monocristallin
Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation
Caractérisation, modélisation et intégration de JFET de puissance en carbure de silicium dans des convertisseurs haute température et haute tension
Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium
Conception, réalisation et caractérisation d'un composant limiteur de courant commandé en carbure de silicium et son intégration système