researcher / Didier Decoster

Didier Decoster

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Disciplines:

Electrical engineering
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Directed Thesis:

Conception, fabrication et caractérisation d'un modulateur optique à commande plasmonique sur nitrure de gallium à une longueur d'onde de 1,55 micron
Commutateurs électro-optiques à haute diaphotie sur InP
Nanofils optiques à base de GaAs insérés dans une matrice polymère
Matrices de commutation optique sur InP
Étude des lasers accordables à réseaux de Bragg échantillonnés ou à pas variables
Etudes technologiques et expérimentales de lasers Perot-Fabry couplés latéralement sur InP
Etudes pour la réalisation d'un modulateur électro-optique à ondes progressives sur polymères
Etudes technologiques, expérimentales et par simulation pour la commutation optique sur InP
Contribution à l'étude et à la réalisation d'une liaison mixte fibre radio bidirectionnelle haut débit dans la bande des 60 GHz
Étude théorique et expérimentale de guides optiques à base de polymères pour la réalisation de commutateurs électro-optiques
Etudes et conceptions des structures lasers à réseaux échantillonnés pour des applications radio-fibre & DWDM
Récepteurs opto-millimétriques pour télécommunications mixtes fibre-radio
Composants de type guide d'ondes sur InP pour télécommunications mixtes fibre-radio
Étude de la senbilité à la température de structures laser alumino-phosphorées à multi-puits quantiques sur substrat InP
Modélisation CAO de lasers semiconducteurs bi-électrodes pour des applications hyperfréquences
Conception et fabrication de matrices de commutation optique en vue de la réalisation de modules de synthèse de retards temporels
Contribution à l'étude et à l'optimisation de composants optoélectroniques
Étude et réalisation d'amplificateurs optiques à base de guides optiques dopés à l'erbium par le procédé sol - gel
Nouvelles techniques de modélisation optique : application à quelques composants d'optique intégrée
Étude et réalisation d'une transmission opto-millimétrique à 38 GHz utilisant les non-linéarités de lasers
Etude et développement de diodes lasers sur InP pour la génération de signaux millimétriques
Modélisation de photodiodes PIN pour un fonctionnement en hyperfréquence sous forte puissance
Etude et réalisation de transducteurs opto-hyperfréquences sur matériaux III-V
Étude de photodétecteurs PIN-guide et MSM intégré à un guide optique pour des applications en ondes millimétriques
Étude et réalisation d'émetteurs optiques intégrés sur matériaux III-V
Etude et réalisation de circuits optiques avec micromiroirs intégrés, sur matériaux diélectriques
Etude de photodétecteurs métal-semiconducteur-métal pour des applications micro-ondes
Caractérisation in-situ de l'epitaxie en phase vapeur aux organométalliques : Application à la croissance de miroirs de Bragg et résonateurs Fabry-Perot non-lineaires
Transmission optique d'un signal analogique hyperfréquence et digital bas débit
Modélisation de lasers semiconducteurs et applications à la CAO de systèmes opto-microondes
Transmission d'un signal analogique par voie optique : étude et réalisation de circuits intégrés opto-hyperfréquences
Études théoriques et expérimentales de photodiodes à avalanche planaires GaInAs-InP
Application de la photodétection dans les circuits intégrés III-V pour le contrôle optique d'un circuit logique
Contribution à l'étude de photodétecteurs rapides : application aux photorécepteurs résonants micro-onde
Intégration monolithique de photodétecteurs et de guides optiques sur matériaux III-V
Etude comparative de la photodiode PIN, de la photodiode à avalanche et du photoconducteur sur matériaux III-V
Etude et réalisation de photorécepteurs pour les longueurs d'onde 1,3 um - 1,55 um intégrés monolithiquement à base de nouvelles structures semiconductrices à fort désaccord de mailles
Étude des phénomènes de propagation dans des structures de guidage à base de GaAs, GaAiAs, GaInAs : application à la réalisation de photoconducteurs intégrés monolithiquement à un guide optique
Etude de photoconducteurs sur matériaux III-V et possibilités d'applications
Contribution à l'étude des phénomènes de photoconduction sur matériaux contraints GaInAs/GaAs : application à la réalisation de têtes optiques intégrées aux longueurs d'onde 1,3um-1,55um
Etude et réalisation de photorécepteurs associant en intégration monolithique sur AsGa une photodiode schottky et un TEC
Etude et réalisation d'un modulateur électro-optique sur arséniure de gallium