Tayeb Mohammed-Brahim

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Disciplines:

Electrical engineering
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Directed Thesis:

Photodétection dans une large gamme de longueur d’onde : phototransistor CdSe QDs/RGO sur des nanofils de ZnO dans la gamme UV-Vis, PbS QDs avec un transistor organique C60 de type N imprimé dans la gamme proche IR
Transistor silicium en couche mince à base de nano-particules de PbS : un efficace phototransistor pour la détection de lumière infrarouge
OTFTs de type N à base de semiconducteurs π-conjugués : fabrication, performance et stabilité
Modélisation de transistors en couches minces (TFT) fabriqués en technologie silicium microcristallin très basse température
Électronique CMOS en silicium microcristallin sur substrat flexible transparent
Système intégré antenne et redressement d'un signal à 13,56 MHz pour des applications RFID en technologie silicium très basse température
Conception et mise en œuvre d'un système matricielle de mesure du pH basé sur une structure FET à grille suspendue
Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité
Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin : application à la réalisation de transistors à base de ces couches
Étude et réalisation d'un biocapteur de type transistor à grille suspendue pour la reconnaissance de l'hybridation moléculaire de l'ADN
Oleds à large bande émissive pour la réalisation des micro afficheurs
Utilisation de silicium déposé microcristallin par PECVD et re-cristallisé par laser excimère dans la fabrication de transistors en couches minces à T<200°C
Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH₄-H₂-Ar.
Conception et fabrication de transistors à effet de champ à grille suspendue utilisables dans la détection d'espèces chimiques ou biologiques
Qualification de différents matériaux silicium en vue de la réalisation sur le même substrat de transistors dédiés à différentes applications
Microstructures en silicium polycristallin déposé sur verre. Application à la réalisation et la caractérisation de transistors en couche mince à grille suspendue
Simulation de dispositifs en silicium polycristallin considéré comme matériau inhomogène
Silicium intrinsèque et dopé in situ déposé amorphe par SAPCVD puis cristallisé en phase solide
Stabilité de différentes structures de silicium