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Wei Lei
Wei Lei
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Electrical engineering
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Photodétection dans une large gamme de longueur d’onde : phototransistor CdSe QDs/RGO sur des nanofils de ZnO dans la gamme UV-Vis, PbS QDs avec un transistor organique C60 de type N imprimé dans la gamme proche IR
Transistor silicium en couche mince à base de nano-particules de PbS : un efficace phototransistor pour la détection de lumière infrarouge