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researcher / Frédéric Saigné

Frédéric Saigné

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Disciplines:

Electrical engineering

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Thesis:

Une nouvelle approche de la sélection des composants de type mos pour l'environnement radiatif spatial

Directed Thesis:

Méthodes de caractérisation et analyse de la sensibilité aux effets des radiations de mémoires dynamiques basse consommation pour application spatiale

Etude des critères de formation des défauts morphologiques induits par des ions lourds de haute énergie dans des structures élémentaires SIO2−SI : incidence sur la fiabilité des technologies CMOS embarquées

Validation expérimentale des outils de simulation des réactions nucléaires induites par les neutrons et les protons dans le silicium : irradiation d'une diode silicium et d'une caméra CCD

Etude par simulation composant 3D des effets singuliers SEU et SET induits par ions lourds sur le noeud technologique CMOS bulk 180 nm

Analyse par simulation Monte Carlo de la sensibilité aux aléas logiques des mémoires SRAM soumises à un environnement protonique spatial ou neutronique terrestre

Etude expérimentale et théorique des effets d'un faisceau laser pulsé sur les composants électroniques et comparaison avec les évènements singuliers induits par l'environnement radiatif naturel

Contribution à la validation expérimentale de l'approche Monte-Carlo de l'interaction neutron-silicium utilisée dans des codes de physique nucléaire dédiées au calcul de SER des mémoires SRAM