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Christophe Gaquière
Christophe Gaquière
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Disciplines:
Electrical engineering
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Thesis:
Analyse et optimisations de transistors à effet de champ à hétérojonction pour l'amplification de puissance dans la bande Ka
Directed Thesis:
Études des potentialités des composants à base de nitrure de gallium pour des applications mélangeurs à large bande de fréquence
Composants plasmoniques à base d’hétérojonction AlGaN/GaN pour les applications terahertz
Études théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences
Réalisation d'un banc de mesure d'intermodulation biton en bande Ka : application à l'analyse des causes technologiques de non-linéarité des HEMTs de puissance
Études expérimentales de transistors HFET de la filière nitrure de gallium pour des applications de puissances hyperfréquences
Réalisation expérimentale d'un banc d'essai d'intermodulation "noise power ratio" : application à l'analyse de HEMTs et de MMICs de puissance en bande Ka