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researcher / Alain Hoffmann

Alain Hoffmann

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Disciplines:

Electrical engineering

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Directed Thesis:

Caractérisation de la conduction et du bruit basse fréquence dans des macro et nano structures à base de nanotubes de carbone

Etude de bruit basse fréquence de type R. T. S dans les capteurs d'images à pixels actifs CMOS

Caractérisation et modélisation du bruit en 1-f de transistors MOS issus de technologies CMOS à 0,25 [micromètres] et 0,18 [micromètres]

Utilisation des transistors MOS à effet de champ de type COTS en environnement radiatif ionisant

Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma : extrapolation aux défauts induits dans les oxydes de champ des transistors bipolaires

Analyse des défauts induits par irradiations ionisante et à effets de déplacement dans des structures MCT (MOS Controlled Thyristor) à partir de mesures électriques et par simulation