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researcher / Daniel Gasquet

Daniel Gasquet

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Disciplines:

Electrical engineering

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Directed Thesis:

Etude du bruit de fond BF et HF dans les transistors bipolaires double polysilicium et dans les transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe et InP/GaInAs

Caractérisation des dispositifs hyperfréquences : schéma équivalent, facteur de bruit et impédance optimale de bruit