researcher / Didier Stiévenard

Didier Stiévenard

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Disciplines:

Electrical engineering
Materials science and engineering
Physics
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Thesis:

Contribution à l'étude des défauts primaires ou complexes, crées par irradiation électronique, dans l'arséniure de Gallium

Directed Thesis:

Fabrication top-down, caractérisation et applications de nanofils silicium
Electronic transport in quantum confined systems
Jonctions nanométriques à base d'électrodes ou de nanofils en siliciure de titane
Détection électrique d'anticorps sériques humains à l'aide d'un nanocapteur
Élaboration et caractérisation de transistors MOS Schottky en régime nanométrique
Étude des propriétés électroniques et structurelles d'impuretés, de défauts ponctuels et de boîtes quantiques auto-assemblées présents dans un cristal d'arséniure de gallium par microscopie à effet tunnel
Détection électronique d'une interaction biomoléculaire entre des électrodes nanostructurées
Elaboration et caractérisation physique par microscopies à champ proche de nanostructures semi-conductrices
Contribution à l'étude des défauts créés par irradiation électronique dans des alliages semiconducteurs silicium-germanium de type N et P
Contribution à l'étude du greffage sur silicium de molécules de type cryptand aromatique à l'aide de techniques spectroscopiques (FT-IR et XPS) : observations et nano-indentation par microscopie à champ proche
Contribution à l'étude de faces clivées (110) de semiconducteurs III-V par spectroscopie STM en UHV : application au dopage planaire de silicium dans GaAs
Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP
Oxydation basse température assistée par plasma des alliages silicium-germanium
Caractérisation électrique d'hétérostructures III-V : étude de l'influence de défauts d'irradiation et d'interface
Caractérisations électriques d'hétérostructures de semi-conducteurs
Contribution à l'étude de la stabilité des défauts dans l'arseniure de gallium
Contribution à l'optimisation de l'interface Si3N4/Ga[subscript 0. 47]In[subscript 0. 53]As pour la réalisation de MISFETs à haute stabilité