researcher / Eugène Constant

Eugène Constant

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Disciplines:

Electrical engineering
Physics
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Directed Thesis:

Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs : application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V
Conception et réalisation d'un récepteur FM complètement intégré sur silicium
Conception de filtres continus GaAs haute précision, faible consommation en vue de leur application dans un système de communication mobile
Hydrogénation et neutralisation des donneurs dans les semiconducteurs de la filière GaAs : évolution en fonction de la température, du champ électrique et du courant
Capteurs de température à réseau planaire distribué de thermopiles en couches minces
Réalisation de transistors à effet de champ par neutralisation de dopants par l'hydrogène atomique et par déneutralisation localisée des complexes Si-H
Conception et réalisation d'un nouveau type de thermomètre microonde miniature
Méthode d'optimisation des filtres continus CMOS et application aux filtres à base de transconductances polarisées en régime triode
Planarisation de structures multicouches en technologie bipolaire de circuits intégrés à haute densité d'intégration
Résistance différentielle négative et transfert spatial dans les transistors à effet de champ à grille isolée GaAlAs/GaAs : analyse théorique et applications potentielles
Conception et réalisation de convertisseur de fréquence et d'oscillateurs monolithiques à transistors à effet de champ
Amplificateurs CMOS faible bruit pour applications sonar
Conception de filtres continus CMOS micropuissance et leur application dans un système de mesure de déplacement linéaire
Contribution à des outils de conception de circuits intégrés
Simulation bidimensionnelle de technologies silicium : l'approche multicouche
Réalisation de transistors à effet de champ en AsGa par la neutralisation des donneurs légers par hydrogène atomique
Modélisation de transistors à effet de champ à hétérojonctions : application au MISFET GaAlAs/GaAs et à l'étude du transfert électronique dans l'espace réel
Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M. E. S. F. E. T. Et de T. E. G. F. E. T. AlGaAs/GaAs
Conception assistée par ordinateur de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences en AsGa : application à la réalisation de circuits pour thermométrie microonde
Multiplicateur de fréquence bande X en circuit intégré monolithique AsGa : modélisation, conception et réalisation
Conception de sources stables utilisant la multiplication de fréquence par diode à avalanche en gamme millimétrique
Etudes théoriques et expérimentales des modules préaccordés radiaux : application à l'intégration des composants en ondes millimétriques
Technologie des diodes IMPATT à haut rendement : à barrière métal-semiconducteur GaAs, à hétérojonctions GaInAs/InP