researcher / Georges Salmer

Georges Salmer

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Disciplines:

Applied sciences
Electrical engineering
Materials science and engineering
Physics
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Directed Thesis:

Convertisseurs continu-continu à très haute fréquence de découpage : conception, réalisation et étude de l'asservissement
Etude, optimisation et réalisation de composants HIGFET complémentaires à grille submicronique : application à la conception de convertisseurs analogiques numériques ultrarapides
Etude et réalisation de nouvelles filières de composants HIGFETs pour applications digitales et analogiques
Nouvelles applications des composants à l'arséniure de gallium dans le domaine de la conversion continu - continu de puissance à ultra-haute fréquence de découpage et haut rendement
Etude et réalisation de transistors HIGFETS complémentaires en technologie auto-alignée pour circuits logiques rapides à faible consommation
Transistors à effet de champ bigrilles : nouvelle méthode de caractérisation et étude expérimentale des potentialités en ondes millimétriques
Simulation hydrodynamique bidimensionnelle des transistors à effet de champ à gaz bidimensionnel d'électrons : contribution à l'optimisation des composants pour ondes millimétriques
Étude des propriétés physiques et des performances potentielles à hautes températures ds transistors à effet de champ (TEC) à grille submicronique
Étude expérimentale du transistor à effet de champ microondes dans des conditions très faible bruit et basses températures
Conception d'un modèle hydrodynamique bidimensionnel de transistors à effet de champ à hétérostructure : application à l'analyse physique et à l'optimisation des composants submicroniques
Étude par microscopie électronique en transmission des défauts structuraux induits par les contraintes dans les hétérostructures Ga1-xInxAs/InP et Ga1-xInxAs/GaAs
Contribution à l'étude des dispositifs à jonction P-N en gamme millimétrique : application aux diodes avalanche en régime de génération directe et harmonique
Propriétés physiques et performances potentielles des composants submicroniques à effet de champ : structures conventionnelles et à gaz d'électrons bidimensionnel
Un nouveau dispositif semiconducteur à avalanche et temps de transit : l'hétérostructure GaInAs/InP
Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences
Modélisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfréquence du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium
Étude théorique et expérimentale du bruit de fond généré dans les transistors à effet de champ en gammes centimétrique et millimétrique
Structures à hétérojonction pour la conception de diodes à avalanches et temps de transit à très haut rendement