researcher / Alain Deneuville

Alain Deneuville

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Disciplines:

Electrical engineering
Physics
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Directed Thesis:

Etude du dopage de type n du diamant au phosphore et au soufre
Contribution à l'étude du dopage bore, azote et phosphore dans le diamant
Dopage au bore à partir de la phase vapeur : étude comparative des couches minces polycristallines et monocristallines de diamant
Modélisation et simulation numérique de la croissance des siliciures pour la microélectronique
Evaluation des composantes de l'énergie de surface par la technique des angles de contact : application à la mise au point et au controle de procédés en microélectronique
Réacteur de dépot assisté d'un plasma hyperfréquence pour déposer des couches minces d'oxyde de silicium planarisées
Aspects structuraux et électriques de l'implantation ionique de bore dans des couches de diamant
Films polycristallins de diamant : dopage au bore à partir de la phase vapeur
Défauts de structure et impuretés dans les couches minces de diamant élaborées par dépôt chimique en phase vapeur
Dépot d'oxyde de silicium aplanissant par plasma multipolaire micro-onde à résonance cyclotronique électronique répartie
Etude de l'origine de la diffusion latérale et réalisation d'un procédé salicide WSI2
Etude électronique et physicochimique de la structure Pt/a-Si:H/c-Si(n)
Nitruration sous ammoniac de couches minces de W déposées sur Si : caractérisations physicochimiques et électriques
Etude des transistors à grille flottante et application à la conception d'une mémoire reconfigurable intégrée sur tranche
Préparation par décharge luminescente du silicium microcristallin non dopé et dopé (B et P) et contribution à l'étude de leurs propriétés électroniques et physico-chimiques
Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant : application aux transistors silicium sur saphir
Optimisation du silicium amorphe hydrogéné préparé par décharge luminescente à basse fréquence pour l'utilisation dans divers dispositifs de type diode Schottky
Formation à basse température et nouvelles techniques de caractérisations [sic] du disiliciure de tungstène WSi2
Contribution à l'étude des états localisés et du dopage du silicium amorphe hydrogéné
Conception et réalisation de multiplieurs numériques sur arséniure de gallium