researcher / Yves Crosnier

Yves Crosnier

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Disciplines:

Electrical engineering
Physics
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Directed Thesis:

Mise en oeuvre de techniques de mesures cryogéniques pour la caractérisation hyperfréquences de circuits supraconducteurs à haute Tc : Application aux résonateurs planaires et conception d'oscillateurs à transistors HEMT refroidis
Réalisation d'un banc de mesure d'intermodulation biton en bande Ka : application à l'analyse des causes technologiques de non-linéarité des HEMTs de puissance
Réalisation expérimentale d'un banc d'essai d'intermodulation "noise power ratio" : application à l'analyse de HEMTs et de MMICs de puissance en bande Ka
Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence
Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V
Etude des transistors à effet de champ de type HEMT sur substrat GaAs et InP pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique
Analyse de fonctionnement en amplification de puissance en bande Ka des transistors HEMT des filières AsGa et InP
Etude de multiplicateurs de fréquence à HEMT : application à un tripleur 10-30 GHz
Contribution à la modélisation non-linéaire de HEMTs de puissance : application à l'amplification classe B en bande Ka
Conception, réalisation et analyse de mélangeurs millimétriques en technologies hybride et intégrée utilisant des transistors à effet de champ Hemt de types monogrille et bigrille
Analyse et optimisations de transistors à effet de champ à hétérojonction pour l'amplification de puissance dans la bande Ka
Contribution à la modélisation non-linéaire des TECs pour amplification de puissance en classe B en bandes Ku et Ka
Etudes théorique et expérimentale de transistors multipuits à effet de champ et à plans de dopage : Potentialité d'application à la multiplication de fréquence
Nouvelle utilisation des structures à effet de champ monogrilles et bigrilles distribuées : application à l'amplification large bande
Caractérisation en petit signal, en puissance et en impédances des transistors à effet de champ millimétriques : étude et réalisation d'un banc de "load-pull à charge active" 26,5-40 GHz
Transistor à effet de champ à hétérojonction iAlGaAs/nGaAs, à grille isolée et canal dopé (DMT) : analyse du fonctionnement et optimisation technologique : application à l'amplification de puissance microonde
Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences
Etude théorique et expérimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor à effet de champ bigrille à l'arséniure de gallium
Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences
Modélisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfréquence du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium