researcher / Alain Cappy

Alain Cappy

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Disciplines:

Electrical engineering
Physics
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Thesis:

Propriétés physiques et performances potentielles des composants submicroniques à effet de champ : structures conventionnelles et à gaz d'électrons bidimensionnel

Directed Thesis:

Etude théorique des couches actives AlGaAs/lnGaAs/GaAs à l'aide d'un modèle de résolution autocohérente des équations de Schrödinger et de Poisson
Composants nanométriques balistiques de type GaInAs / AlInAs / InP pour applications terahertz
Matrices de détecteurs bolométriques pour l'imagerie dans les bandes millimétriques : faisabilité, performances et réalisation d'un démonstrateur
Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
Conception de récepteurs à faible bruit dans le domaine millimétrique en étudiant le bruit électrique dans les circuits non linéaires micro-ondes
Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière AlInAs-GaInAs pour applications en ondes millimétriques
Modélisation et caractérisation du bruit hyperfréquence dans des MESFETSs et HEMTs AlGaAs/GaAs sans grille à longueur de zone active ultracourte
Utilisation d'un modèle quasi-bidimensionnel pour la simulation d'un transistor à effet de champ en régime de fonctionnement non linéaire
Conception et réalisation d'une cellule de test de circuits planaires dans la bande V(50-75GHz)
Etude théorique et expérimentale de transistors à effet de champ à canaux quasi-unidimentionnels
Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs
Helena : un logiciel convivial de simulation des composants à effets de Champs
Caractérisation des transistors à effet de champ : mesure précise de la matrice de répartition et détermination directe du schéma équivalent