researcher / Claude Sébenne

Claude Sébenne

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Disciplines:

Applied sciences
Chemistry
Materials science and engineering
Physics
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Directed Thesis:

Etude des proprietes electroniques et structurales des interfaces gase/si(111) et inse/si(111) par la photoemission angulaire dans l'ultraviolet
Etude de la croissance épitaxiale par jets moléculaires des lamellaires (GaSe, InSe) sur silicium et de ZnSe sur lamellaire
Contribution a l etude des proprietes des heterojonctions formees par des composes lamellaires (inse ou gase) epitaxies sur du si(111)
Contribution a l'etude de l'intercalation du lithium dans moo 3-nh 2o et ses composes derives
Contributions a l'etude de la microstructure et des proprietes optiques du silicium amorphe et microcristallin
Etude des effets de l'insertion du lithium sur les proprietes electroniques et vibratoires des composes lamellaires semiconducteurs par spectroscopies raman et infrarouge
Heterostructures de gase et inse lamellaires sur gaas(001) et sur si(111) : preparation et proprietes d'interface
Etude par photoemission des surfaces (111) et (110) imparfaites de silicium
Contribution a l'etude de la structure electronique du silicium amorphe pur et du silicium amorphe hydrogene
Interaction, a temperature ambiante, de l'hydrogene atomique et de l'ammoniac avec la surface clivee propre du phosphure d'indium
Caracterisation par microscopie a effet tunnel et microscopie de force atomique a l'air du silicium(000) implante : effet des dopants et du taux de dopage sur le relief et la conductivite de surface
Developpements instrumentaux pour la microscopie a effet tunnel
Effet de recuit sous ultravide des surfaces propres de silicium
Interaction de nh#3 avec les surfaces propres de silicium
Transport et magnétotransport dans le monoséléniure d'indium lamellaire
Contribution a l'etude de l'interaction de l'hydrogene atomique avec les faces (110) et (100) de gaas et inp
Etude de la face (100) du silicium
Etude de la production d'ions hydrogène lents et de leur interaction avec les surfaces clivées de semi-conducteurs (GaAs, InP)