Renaud Fauquembergue

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Disciplines:

Electrical engineering
Physics
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Directed Thesis:

Potentialités des hétérostructures GaSb/AlxGa1-xSb/InAs sur substrat GaAs pour la réalisation de HEMT en vue d'applications faible bruit en ondes millimétriques
Simulation Monte Carlo du transport électronique dans les polytypes de carbure de silicium : application aux MOSFET et MESFET SiC
Simulation Monte-Carlo en régimes statique et dynamique de HEMT de la filière InP
Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP : application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques
Etude théorique et optimisation de transistors à effet de champ de la filière InP et de la filière GaN
Simulation Monte-Carlo du transport électronique et des phénomènes de diffusion dans les hétérostructures III-V : application aux structures MODFET et DMT
Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V : application aux matériaux GaAs et InP
Etude théorique du transport électronique dans des structures à dimensionnalité réduite : application à la simulation Monte-Carlo d'hétérostructures pseudomorphiques
Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V : applications à l’étude de structures contraintes GaInAs-GaAs et de HEMT AlInAs-GaInAs/InP
Simulation Monte-Carlo bidimensionnelle et étude expérimentale de transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs/InP adaptés en maille sur InP
Simulation Monte Carlo dibimensionnelle de transistors à effet de champ à grille isolée sur hétérostructures III-V
Simulation bidimensionnelle de composants submicroniques : application à l'étude des potentialités de transistors à effet de champ conventionnels et à hétérojonctions
Simulation Monte Carlo de composants submicroniques à effet de champ et à hétérojonctions : application au T.E.G.F.E.T. et à ses structures dérivées