researcher / Jean Massies

Jean Massies

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Disciplines:

Physics
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Directed Thesis:

Hétérostructures polaires et non polaires à base de nitrure de gallium épitaxiées sur ZnO pour applications optoélectroniques
Nanostructures GaN pour l'émission dans l'ultraviolet
Croissance et propriétés optiques et structurales de nitrures semipolaires (11-22) hétéroépitaxiés sur saphir
Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN
Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d'applications à l'optique non linéaire
Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111)
Contribution a l'ingenierie et a la modelisation d'heterostructures (ga,in)(as,p)/gaas pour diodes lasers
Nanostructures (Ga, In, AI)N : croissance par épitaxie sous jets moléculaires, propriétés optiques, applications aux diodes électroluminescentes
Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001)
Epitaxie par jets chimiques : application a la croissance de structures mixtes arseniures-phosphures et de nitrures d'elements iii
Developpement, mise en Œuvre, et qualification d'un reacteur specifique a l'epitaxie par jets moleculaires d'organo-metalliques (ejmom)
Phenomenes de surface en croissance epitaxiale fortement contrainte de in#xga#1##xas (x>0,25) sur gaas(001) : relaxation elastique, transition 2d-3d, effet surfactant
Étude de la diffraction électronique en incidence rasante en vue de son application à la croissance épitaxiale par jets moléculaires de GaAs et AlxGa1-xAs