researcher / Guy Turban

Guy Turban

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Disciplines:

Applied sciences
Chemistry
Physics
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Directed Thesis:

Proprietes structurales et electriques de couches d'oxyde de silicium elaborees par plasma basse temperature d'oxygene / tetraethoxysilane sur des alliages silicium germanium
Etude des degradations induites dans les oxydes de grille des dispositifs mos par les procedes plasma
Simulation de procedes de gravure seche pour les dispositifs micro-opto-electroniques
Depot et gravure des couches minces de carbone (a-c : h) et de carbonitrure (a-c:h:n) amorphes hydrogenes dans un plasma excite par resonance cyclotronique electronique et radiofrequence
Depot de couches minces de carbone adamantin dans un plasma magnetron micro-onde
Etude des phenomenes physiques associes a l'ouverture des contacts dans l'oxyde de silicium par gravure plasma
Modelisation et simulation numerique d'un plasma helicon
Etude experimentale et modelisation d'une decharge radiofrequence magnetron pour la realisation de couches minces de tiw
Gravure ionique reactive des couches minces de diamant. Application a la planarisation
Developpement et caracterisation des procedes de gravure de la grille en polysilicium dans une source plasma haute densite
Epitaxie localisee par jets chimiques sur substrats gaas et inp
Caracterisation des films minces de carbone amorphe hydrogene (a-c : h) elabores en plasma rf. etude de l'interface a-c:h/substrat et des mecanismes d'adhesion
Gravure ionique reactive des couches minces de tungstene en plasmas radiofrequence de sf#6/o#2
Croissance et caracterisation de couches minces d'oxyde de silicium obtenues par plasma de composes organosilicies. (hmdso, teos)
Modelisation cinetique d'un plasma de methane pour le depot de couches minces de carbone hydrogene (dlc)
Etude de l'interaction entre des plasmas de sf#6 et la resine de masquage dans des procedes de gravure seche
Gravure ionique reactive des couches minces de tungstene et de tantale dans un plasma radiofrequence de sf::(6) : analyse du plasma et des surfaces gravees
Etude de la modification des surfaces de silicium et d'oxyde de silicium soumises a des plasmas de trifluoromethane et d'oxygene