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researcher / Arnaud Bournel

Arnaud Bournel

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Disciplines:

Applied sciences

Physics

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Thesis:

Etude theorique et dimensionnement d'un transistor a effet de champ a rotation de spin

Directed Thesis:

Étude des mécanismes de dégradation de la mobilité sur les architectures FDSOI pour les noeuds technologiques avancés (<20nm)

Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation

Etude de l' effet de l'énergie des ions lourds sur la sensibilité des composants électroniques

Transport électronique et effets de Spin dans les nanostructures de graphène

Modélisation du transport sous contrainte mécanique dans les transistors sub-65 nm pour la microélectronique CMOS