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Santo Martinuzzi
Santo Martinuzzi
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Materials science and engineering
Physics
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Implantations d'ions H+ et BF2+ dans du silicium par faisceau et immersion plasma. Application aux cellules solaires
Propriétés électriques de nanocavités créees dans du silicium cristallin par implantations d'ions He et H - applications
Influence de couches d'aluminium déposées en face arrière sur des cellules photovoltai͏̈ques au silicium cristallin
Cartographies de durées de vie des porteurs minoritaires et d'impuretés métalliques dans le silicium cristallin par déphasage micro-ondes
Détection, caractérisation électrique et élimination de défauts dans le silicium. Application à la tenue en tension de diodes PN
Détection et caractérisation électrique de précipités dans le silicium par des techniques non destructrices (FTIR, MIRB, LBIC,. . . )
Origine et influence de l'activité électrique des dislocations dans le silicium cristallin
Etude de traitements à l'aluminium sur les propriétés électriques de plaquettes et de cellules solaires au silicium multicristallin
Réalisation d'instruments automatisés de révélation et de caractérisation locale de défauts dans du silicium
Passivation volumiques et superficielles de photopiles au silicium multicristallin
Effet getter externe par diffusion de phosphore dans du silicium multicristallin : additivité de l'hydrogénation
Origine et caractérisation des centres recombinants aux joints de grains de bicristaux et multicristaux de silicium
Influence et passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans du silicium polycristallin de type P : ("Extension aux photopiles")
Etude de quelques intéractions impuretés-défauts dans du silicium polycristallin de type P.
Etude par photoconductance des phénomènes de recombinaison le long de joints de grains dans le silicium polycristallin : application aux essais de passivation