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researcher / Yvon Cordier

Yvon Cordier

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Disciplines:

Electrical engineering

Physics

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Thesis:

Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Directed Thesis:

Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN

Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN

Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III

Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium

Croissance de GaN sur silicium micro- et nano-structuré

Développement de nouvelles hétérostructures HEMTs à base de nitrure de gallium pour des applications de puissance en gamme d'ondes millimétriques

Étude de la fabrication de nouveaux composants à base de Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de puissance

GaN based structures on patterned silicon substrate : stress and strain analysis

Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium

Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons