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Maria Tchernycheva
Maria Tchernycheva
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Physics
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Thesis:
Physique des transitions intersousbandes des hétérostructures de GaN/ALN pour l'optoélectronique à lambda =1,3-1,55 microns
Directed Thesis:
Croissance de nanofils InGaN pour les dispositifs de récupération d’énergie photovoltaïques et piézoélectriques
Développement et application de la technique analytique de courant induit par faisceau d’électrons pour la caractérisation des dispositifs à base de nanofils de nitrure de gallium et de silicium