researcher / Paul Siffert

Paul Siffert

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Disciplines:

Applied sciences
Chemistry
Medicine and health
Physics
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Thesis:

Imagerie sur p. C. D'un film de bafbr : eu#2#+, photostimulable, ayant emmagasine une energie latente par exposition aux rayons x. influence de divers contaminants chimiques

Directed Thesis:

LES DEFAUTS PONCTUELS DANS LE SILICIUM ET L'ALLIAGE Si1-XGEX : aspects thermodynamiques de quelques metaux de transition
Interaction du laser diode 805 nm avec les tissus osteoarticulaires : etude experimentale chez l'animal avec analyse histologique, thermique, modelisation mathematique, resultats cliniques chez l'homme
Depot et caracterisation de films minces de silicium sur substrat polymere par la methode cvd assistee par photons lumineux
ETUDE ET REALISATION D'UNE CHAINE ELECTRONIQUE DE VISUALISATION D'IMAGES EN RAYONS X POUR L'ALIGNEMENT DE CRISTAUX A BASE DE DETECTEURS A CdTe
Developpement d'un capteur a base de tellurure de cadmium en vue de l'imagerie industrielle et medicale par rayons x
Utilisation des verres d'oxyde de silicium et du recuit thermique rapide dans la technologie des photopiles
Elaboration et caracterisation structurale de couches minces si#1##xge#x obtenues par implantation ionique suivie de traitements thermiques classiques ou laser
Contribution a la caracterisation des cristaux (thm) de tellurure de cadmium par des techniques nucleaires et electriques
Contribution a l'etude du comportement du fer et du cuivre dans le silicium monocristallin
Conception et realisation d'un instrument de mesure edxrf utilisant des detecteurs hgi2
Croissance de monocristaux de tellurure de cadmium par la methode bridgman modifiee : modelisation, preparation et caracterisation
Spectrometrie d'ionisation resonante pour l'analyse des solides : applications a la detection d'impuretes metalliques dans le silicium destine a la fabrication de photopiles
Etude des parametres fondamentaux de capteurs silicium durant leur realisation en technologie planar : application aux detecteurs de rayonnements
Contribution a l'etude des dommages induits par les ions lourds de grande energie dans les films d'oxyde de silicium thermique
Etude de l'implantation ionique a haute energie de bore et d'oxygene dans le silicium
Caracterisation des contacts et des materiaux des detecteurs nucleaires cdte, traites thermiquement sous differentes atmospheres
Formation du siliciure de titane par recuit thermique rapide : cinetique de croissance et influence de quelques impuretes
Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium. Effet getter
Photodecomposition sensibilisee au mercure du monosilane (hg-photo-cvd) : application au depot en couches minces de silicium amorphe hydrogene (a-si : h)
Etude et caracterisation microscopique des niveaux profonds dans le tellurure de cadmium
Analyse du bruit des transistors a effet de champ en technologie complementaire mos et application a la realisation d'un amplificateur integre sensible au courant
Etude et caracterisation des defauts microscopiques du tellure de cadmium
Caracterisation des elements legers du silicium mono, bi- et polycristallin par les methodes nucleaires et la spectroscopie infrarouge
Vers une utilisation des recuits transitoires dans la technologie des photopiles a haut rendement
Developpement d'une technique d'analyse localisee des defauts electriquement actifs dans les semiconducteurs
Contribution a l'etude de la purification du tellure en vue de son application a la realisation des semiconducteurs composes mis en oeuvre dans les capteurs energetiques et nucleaires
Modelisations des reponses du silicium et du tellure de cadmium aux rayonnements gamma et neutron : applications a la dosimetrie
Etude du recuit thermique rapide des defauts d'implantation dans le silicium : epitaxie en phase solide et guerison des imperfections residuelles
Etude de la neutralisation du bore et de certaines impuretes metalliques (or, titane, manganese, chrome) par implantation d'hydrogene dans le silicium monocristallin
Activation electrique et redistribution de l'arsenic et du bore implantes dans le silicium apres recuit thermique rapide