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Jean-Jacques Koulmann
Jean-Jacques Koulmann
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Physics
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Croissance épitaxique à basse température d'hétérostructures Si1-xGex/Si(001) par décomposition catalytique de sources gazeuses en régime moléculaire
Elaboration des interfaces Ge/Si(111) et Ge/Si(100) par UHV-CTLCVD : caractérisation par ARUPS, XPD et LEED
Interaction hydrogène et disilane avec les surfaces Ge(111) c(2x8) et Ge(100) 2x1 : étude par photoémission et diffraction d'électrons lents
Utilisation des silanes (SiH4, Si2H6) comme sources de silicium dans les procédés de dépôts chimiques en phase vapeur à faible pression (LPCVD)