researcher / Roland Madar

Roland Madar

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Disciplines:

Electrical engineering
Materials science and engineering
Physics
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Directed Thesis:

Développement d'un procédé alternatif de croissance de carbure de silicium massif
Intégration de diélectriques haute permittivité et de grilles métalliques dans un procédé CMOS SUB-0. 1[mu]m
Analyse et optimisation du procédé d'oxydation électrolytique Micro-Arc pour le traitement de surface de l'aluminium et de ses alliages
Élaboration de monocristaux de carbure de silicium pour l’électronique de puissance : réduction de la densité de défauts
Optimisation du procédé de dépôt CVD du cuivre et intégration de la métallisation cuivre en technologie d'interconnexion 0. 18 µm
Test et modélisation de détecteurs infrarouges microbolométriques à température ambiante
Caractérisation et validation d'un polymère organique à faible permittivité, le silk, intégré comme diélectrique dans les interconnexions de type damascène avec la métallisation cuivre pour les circuits de génération inférieure a 0,13 micromètres
Croissance du carbure de silicium par techniques CVD haute température
Contribution à l'étude de la cristallogenèse du carbure de silicium SiC par sublimation
Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre
Etude du cuivre et des matériaux barrières pour les technologies 0. 18 micron et inférieures
Etude du comportement du polyphényl-quinoxaline (PPQ) et de ses interfaces lors des étapes d'assemblage d'un réseau d'interconnexions multiniveaux Cu/PPQ pour circuits hybrides à très haute intégration
Cristallochimie des phases ternaires (O, Ln, M)2 X (L : terre rare, zirconium, hafnium, uranium ; M : métal de transition 3d, 4d, 5d ; X : phosphore, arsenic et silicium ainsi que bore, germanium, sélénium)
Etude thermodynamique et expérimentale du dépôt chimique en phase vapeur du disiliciure de titane TiSi2
Etude des relations structure cristalline - non stoechiométrie dans quelques séries de phosphures ou arséniures ternaires Ln(x)M(y)X(z) avec Ln = terre rare ou U et M = métal de transition
Contribution à l'étude des siliciures pour la microélectronique