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researcher / Frédéric Aniel

Frédéric Aniel

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Disciplines:

Applied sciences

Physics

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Thesis:

Les transistors a effet de champ a heterojonction sur gaas et grille ultra-courte aux basses temperatures : evolution des proprietes electriques et physiques

Directed Thesis:

Investigation and development of advanced Si/SiGe and Si/SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors by means of Technology Modeling

Optimisation de la détection térahertz (THz) par plasmons bidimensionnels (2D) dans des hétérostructures et de la propagation THz dans des guides d’onde planaires

Résolution de l’équation de transport de Boltzmann pour les phonons et applications

Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides

Paramètres matériau pour la simulation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe et Si/SiGeC

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Couplage des équations de Maxwell avec l'équation de Boltzmann en 3D : appliqué à la modélisation d'un photocommutateur THz

L'analyse du bruit basse fréquence dans les composants SiGe

Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et catactérisation

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