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Frédéric Aniel
Frédéric Aniel
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Applied sciences
Physics
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Les transistors a effet de champ a heterojonction sur gaas et grille ultra-courte aux basses temperatures : evolution des proprietes electriques et physiques
Directed Thesis:
Investigation and development of advanced Si/SiGe and Si/SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors by means of Technology Modeling
Optimisation de la détection térahertz (THz) par plasmons bidimensionnels (2D) dans des hétérostructures et de la propagation THz dans des guides d’onde planaires
Résolution de l’équation de transport de Boltzmann pour les phonons et applications
Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides
Paramètres matériau pour la simulation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe et Si/SiGeC
Technologie et physique de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC auto-alignés à très hautes performances
Couplage des équations de Maxwell avec l'équation de Boltzmann en 3D : appliqué à la modélisation d'un photocommutateur THz
L'analyse du bruit basse fréquence dans les composants SiGe
Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et catactérisation
Etude du phenomene d'ionisation par choc dans les semi-conducteurs iii-v : application aux transistors a effet de champ