researcher / Robert Cadoret

Robert Cadoret

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Disciplines:

Applied sciences
Physics
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Directed Thesis:

Realisation par epitaxie en phase vapeur par la methode aux hydrures de puits quantiques contraints inas xp 1 x/inp
Epitaxie selective de gaas/gaas et depots de couches gaas a faible taux de defauts sur si par epitaxie selective confinee en phase vapeur par la methode aux hydrures. Modelisation cinetique de la croissance de gaas
Epitaxie sélective confinée d'InP sur substrat Si et dopage silicium de couches InP par la méthode aux hydrures
Ellipsometrie spectroscopique. Application a la caracterisation de silicium poreux
Heteroepitaxie de structures contraintes ga#xin#1#-#xas/inp et de couches inp a faible taux de defauts sur si par la methode aux hydrures
Realisation par la methode aux hydrures et etude de puits quantiques contraints ga#xin#1##xas/inp
Croissance en phase vapeur aux organometalliques des systemes : arseniure de gallium et siliciure de fer sur substrats de silicium
Optimisation des conditions d'epitaxie pour la croissance de puits quantiques inas/inp par la methode aux hydrures
Preparation de l'experience spatiale mercuric iodide crystal growth first international microgravity laboratory. Controle de la nucleation de hgi2 dans une cavite et etude de la cinetique de croissance
Ellipsometrie cinetique sur substrats inp dans un reacteur h. V. P. E. Realisation d'un ellipsometre spectroscopique pour la caracterisation des heterostructures
Etude de la croissance du systeme gaalinp/gainp/gaas par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques pour la realisation de lasers visibles
Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme gainasp : applications en opto-electronique
Recherche experimentale et theorique du controle de l'epitaxie de inp/ingaas/inp par la methode aux hydrures
Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de gainp et algainp sur gaas : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions
Conception et mise en oeuvre d'un reacteur d'epitaxie gainas/inp par la methode aux hydrures, analyse des conditions de croissance