researcher / Olivier Bonnaud

Olivier Bonnaud

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Disciplines:

Applied sciences
Electrical engineering
Physics
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Directed Thesis:

Méthode de modélisation prédictive de boîtiers des circuits intégrés en vue d’anticiper avant design l’immunité au bruit du circuit
Development and fabrication of vertical thin film transistors based on low temperature polycrystalline silicon technology
Maîtrise des procédés de croissance épitaxiale du silicium monocristallin et polycristallin pour des applications micro-systèmes
Etude et amélioration de la fiabilité des composants dédiés aux technologies bipolaire/CMOS/DMOS moyenne tension
Réalisation et caractérisation de structures intégrées en technologie BCD de micro-capteurs de positionmagnétiques réalisés à partir de couches de silicum polycristallin dopées in-situ
Réduction des effets de non-linéarités dans une modulation multiporteuse à l'aide de réseaux de neurones
Etude du remplissage de tranchées profondes par du silicium polycristallin
Conception, réalisation et mise au point d'une technologie CMOS en transistors couches minces sur substrat de verre
Développement, mise en place et optimisation de méthodes de contrôle de fiabilité des technologies bipolaire/CMOS/DMOS au niveau des plaquettes en cours de procédé (WLR)
Analyse des parametres physiques et electriques d'une filiere technologie bipolaire i#2l avancee en vue de l'optimisation du procede et de la reduction de ses regles de dessin
Etude des jonctions verticales p+n a emetteur en silicium lpcvd fortement dope in-situ au bore
Etude de la metallisation auto-alignee des contacts source/drain : consequences sur l'architecture des transistors mos submicroniques
Conception d'un convertisseur numerique analogique en technologie mos pour le traitement de signaux video
Contribution a l'analyse et a la modelisation du vieillissement statique de transistors nmos submicroniques
Contributions à l'étude d'un processeur s'intégrant dans un réseau systolique linéaire dédié à la comparaison des séquences biologiques
Optimisation du test de circuits integres mixtes analogique-numerique : application a l'interface u 2b/1q
Analyse experimentale des parametres electriques de composants cmos soumis a l'irradiation d'une source au cobalt 60 ; impacts de la technologie et de l'etat de conduction des transistors dans les circuits
Developpement d'un systeme expert technologique sur le test parametrique d'une filiere de circuits integres bipolaire silicium haute tension
Modelisation des transistors en couches minces au silicium polycristallin petits grains en regimes passant et bloquant
Modélisation numérique de la conduction électrique dans l'hétérojonction émetteur-base d'un transistor bipolaire à émetteur en silicium amorphe
Caracterisation electrique et analyse de composants integres dans une technologie bipolaire i²l en vue de l'amelioration du procede de fabrication
Développement et caractérisation d'une filière CMOS W/AL 0,5 micron sur substrat soi mince (100 nm)
Realisation de jonction pn dans un film mince de silicium polycristallin : analyse et modelisation de la caracteristique courant-tension entre 200 k et 400 k
Amelioration des caracteristiques d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene : h. modelisation du courant base
Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains. Non dope, en mode d'accumulation
Realisation et caracterisation d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene
Modelisation mono- et bidimensionnelle des phenomenes electrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : application a l'effet de champ dans une structure mos