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René Castagné
René Castagné
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Applied sciences
Electrical engineering
Physics
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Etude du transistor bipolaire npn a double heterojonction si/sige/si par simulations monte-carlo
Amelioration des performances des transistors a effet de champ en arseniure de gallium par l'optimisation de leurs zones d'acces
Effets des ions lourds energetiques sur les circuits integres : application au cas de circuits mos, mos sur isolants et gaas
Optimisation d'une technologie autoalignee pour le transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas
Contribution à l'étude des phénomènes induits par les rayonnements ionisants dans les structures à effet de champ au silicium ou à l'arseniure de gallium utilisées en microélectronique
Étude de la faisabilité de transistors à effet de champ à hétérojonction et a grille isolée, HIGFET
Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction
MAXIM, un macrosimulateur de circuits MSI, LSI
Transistor à effet de champ à forte transconductance : emploi de GainAs/InP
Méthodes de caractérisation des erreurs des analyseurs numériques de transitoires