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researcher / Jean Camassel

Jean Camassel

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Disciplines:

Electrical engineering
Materials science and engineering
Physics
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Directed Thesis:

SiC oxidation processing technology for MOSFETs fabrication
Structural and optical characterization of SiC
Spectroscopie des fautes d'empilement dans 4H-SiC
Croissance en solution et caractérisation de monocristaux de carbure de silicium cubique
Elaboration et caractérisation de composants type MOSFET en 4H-SiC orienté (11-20)
Méthodes de caractérisation optique de SiC
Matériau SOI pour capteur à effet Hall
Propriétés électriques et optiques du 4H-SiC dopé azote. Application : capteur à effet Hall pour les hautes températures
Croissance de couches homoépitaxiales de carbure de silicium pour applications forte puissance
Propriétés physiques de 3C-SiC sur substrats SOI : perspectives d'application
Relaxation de contraintes et propriétés physiques des hétéroépitaxies de SiC-3C sur substrats Si et SOI
Modélisation des systèmes optiques multicouches : application aux filtres accordables et aux miroirs de Bragg
Effets d'interruptions de croissance sur les propriétés optiques des puits quantiques ultra minces GaInAs/InP
Dynamique de réseau de la berlinite : activité infrarouge et Raman