Abstract FR:

La deposition chimique en phase vapeur concerne la croissance de films fins a partir de precurseurs solides en phase gazeuse. Un grand nombre de reactions chimiques se produisent dans le volume gazeux ainsi qu'a la surface de croissance : le substrat. La prediction des taux de croissance et de l'uniformite des films que l'on obtient sont des parametres industriellement importants. Nous avons mene une etude numerique sur des reacteurs cvd en 2d et 3d pour la croissance de films fins de silicium (si) a partir du silene (sih#4) et utilisant l'hydrogene comme gaz porteur. En particulier, nous avons considere le reacteur horizontal avec substrat circulaire en rotation et la prise en compte de deux reactions chimiques incluant les especes suivantes : h#2, sih#4, sih#2, si#2h#6. Cette etude a ete menee grace a un logiciel en volumes finis utilisant une methode de resolution collocative avec l'algorithme piso. Nous avons pu montrer l'influence des debits du gaz porteur, de la vitesse de rotation du substrat et de la concentration des precurseurs sur la croissance des films. Cette etude numerique permet dores et deja d'optimiser ce genre de reacteurs.