Abstract FR:

Les couches minces de siliciures de métaux réfractaires sont utilisées en microélectronique. Le dépôt chimique en phase vapeur permet un excellent recouvrement de marche et la possibilité de dépôt sélectif. Cette étude traite de l'obtention par cette méthode à basse pression de couches minces de siliciures de TA et de TI et de leur étude. Mise au point du procédé, influence d'un traitement de recuit et étude du mécanisme de croissance.