Structures à hétérojonction pour la conception de diodes à avalanches et temps de transit à très haut rendement
Institution:
Lille 1Disciplines:
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Abstract EN:
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Abstract FR:
Cette étude a pour objectif l'analyse théorique et expérimentale des performances potentielles d'hétérostructures IMPATT qui sont obtenues à partir de matériaux qui présentent des caractéristiques physiques favorables par la réalisation des différentes zones du dispositif. Pour cela, deux méthodes sont envisageables : association d'un matériau fortement ionisant pour la zone d'avalanche à un autre faiblement ionisant pour la zone de transit (hétérostructure Ge/AsGa ou GaInAs/InP) ; conception d'une zone de transit où l'évolution spatio-temporelle de la vitesse des porteurs est optimale (hétérostructure AlGaAs/AsGa). Ces composants nouveaux nécessitent une bonne connaissance des propriétés des hétérojonctions et une compréhension des phénomènes physiques qui interviennent en champ élevé. Dans ce but, une étude complète des structures spécifiques du dispositif IMPATT a été effectuée afin d'établir les limitations que pouvaient apporter les hétérojonctions et la nature des matériaux utilisés.