Abstract FR:

Des capteurs en TiO2, sous forme de céramique, de couche épaisse obtenue par sérigraphie et de couche mince obtenue par pulvérisation cathodique, ont été étudiés sous l'action de flux gazeux en CO-CO2-O2-Ar hors équilibre thermodynamique. En régime stationnaire sous atmosphère oxydante autour de 600oc la résistance des capteurs suit la loi Po2 ½ P0,5/pco0,5 et autour de 830 oc la loi Po2 ½ Pc0 1/2 5. Sous atmosphère réductrice, dans l'intervalle de 600 à 830 oc, la réponse des échantillons massifs suit la loi (p c o 2/ p c o) 0,5 et celle des couches la loi fp o 2 0, 5 avec f fonction du taux de recouvrement (o a d s/sites de surface). En régime transitoire le temps de réponse des films de tio 2 dépend, lors d'un échelon de o 2, de la vitesse de diffusion de o 2 à travers la couche et, lors d'un échelon de Co, de l'interaction gaz-solide. Les couches obtenues par pulvérisation cathodique ont des constantes de temps de réponse de l'ordre de 30 MS.