thesis
Oxydation du silicium et modification de l'ordre à courte distance dans les oxydes de silicium induits par un rayonnement laser ultra violet
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Etude par spectrometrie auger de la structure de la surface de si(111) faiblement recouverte d'oxygene sec. L'irradiation par un faible flux de photons uv induit d'importants rearrangements atomiques dans la phase adsorbees avec formation d'une monocouche tres desordonnee de sio::(2) se transformant en sio::(2) amorphe stable apres un recuit thermique a 949 k. L'irradiation de ces couches par un rayonnement laser uv les rend instables. Formation d'une forte densite de defauts structuraux. Etablissement d'une correlation entre les phenomenes physiques evoques