Abstract FR:

Le travail présenté dans cette thèse s’inscrit dans un programma ayant pour but de dégager les potentialités de la pulvérisation par faisceau d’ions comme méthode de dépôt sous vide appliquée à divers domaines, tels que la technologie des supraconducteurs et la microélectronique. Les effets respectifs de la nature et de l’énergie des espèces émises sous bombardement ionique sont mis en évidence par la caractérisation des dépôts obtenus, à travers les études suivantes : l’incorporation de gaz rare dans l’alliage Nb-Ti, l’équilibre des phases dans le système Nb-Ge, les mécanismes de nitruration durant le dépôt de nitrure de silicium, la nucléation de Si₃N₄ sur arséniure de gallium. Quant aux applications, on peut retenir la réalisation de soudures supraconductrices (brevet ANVAR) et le dépôt à température ambiante de nitrure de silicium stœchiométrique, exempt d’oxygène ou d’hydrogène. A noter enfin que ce nitrure constitue une barrière de diffusion sur GaAs, même en couche ultra mince (1,2 nm).