Phénomène de localisation à trois dimensions dans les verres métalliques
Institution:
Paris 11Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Our aim has been to explore the field of weak localization at three dimensions in disordered metallic systems. We present resistivity and magnetoresistance measurements on series of metallic glasses prepared by sputtering. Localization effects show up very clearly in the magnetoresistance of all the investigated metallic glasses. The behaviour of the magnetoresistance depends on the strength of the spin-orbit coupling: the magnetoresistance is negative for weak spin-orbit couplings, positive at law fields and then negative at high fields for strong spin-orbit coupling. The results can be fitted with the theoretical expressions for weak localization, which gives the inelastic scattering rate. At very low temperature, a variation of this rate as √T is observed and cannot be explained by the present theories. The temperature dependance of the resistivity is more difficult to analyse as several mechanisms are in competition: electron-electron interactions, localization, thermal dependance of the structure factor. The localization term accounts for the major part of the negative temperature coefficient.
Abstract FR:
L'objectif de la thèse a été d'explorer les phénomènes de localisation faible à 3 dimensions dans des systèmes métalliques désordonnés. Elle présente des mesures de résistivité et de magnétorésistance sur de nombreux verres métalliques préparés par pulvérisation. Les effets de localisation apparaissent très clairement dans la magnétorésistance de tous les verres métalliques étudiés. L'allure des courbes de magnétorésistance dépend de l'importance du couplage spin-orbite : la magnétorésistance est négative pour les faibles couplages spin-orbite, positive à bas champ puis négative à fort champ pour des couplages spin-orbite plus élevés. Les résultats s'interprètent à l'aide des expressions théoriques de localisation faible. L'analyse de résultats donne la probabilité de diffusion inélastique ; à très basse température on observe une variation de cette probabilité en √T qui n'est pas expliquée par les théories actuelles. La variation de la résistivité avec la température est plus difficile à analyser car elle résulte de plusieurs mécanismes : interaction électron-électron, localisation, variation de facteur de structure. Le terme e localisation explique la plus grande partie du coefficient de température négatif.