Abstract FR:

Les couches minces d'alliages semiconducteurs III-V InGaAsP épitaxiées sur substrat InP sont étudiées par Microscopie Electronique à Balayage en Transmission et microanalyse X à haute résolution spatiale. Lorsqu'elles sont élaborées par Epitaxie en Phase Liquide, elles peuvent présenter des modulations quasipériodiques de composition à une échelle de l'ordre de cent nanomètres; les caractéristiques de ces modulations et celles du champ de déformation élastique induit sont établies. Le domaine d'existence des modulations est déterminé, leurs relations avec une possible non-miscibilité de la solution solide et leur mécanisme d'apparition lors même de la croissance sont étudiés. La spécificité des couches minces par rapport au matériau massif est précisée. Plusieurs manifestations de l'effet de taille dans les alliages III-V, présentes en particulier dans toutes les couches InGaAsP épitaxiées, sont ensuite explorées; il s'agit d'une microstructure à l'échelle de quelques nanomètres, et d'une distribution caractéristique d'intensité diffuse dans l'espace réciproque. Cependant, aucune indication de l'existence de domaines à surstructure ordonnée n'est trouvée. En revanche, des déplacements atomiques par rapport aux positions de cristal virtuel sont mis en évidence par une application originale d'une méthode associant canalisation d'électrons et microanalyse X.