Abstract FR:

Développement d'un modèle macroscopique destiné à l'étude des dispositifs à transfert électronique en gamme millimétrique et basé sur l'intégration de l'équation générale de transport de Boltzmann et sur l'approximation des temps de relaxation. Il prend en compte les phénomènes de dynamique électronique non stationnaire et les effets de charge d'espace. Performances de GaAs, InP et GaInAs aux hyperfréquences. Modes de fonctionnement des dispositifs à transfert électronique en gamme millimétrique. Optimisation de différentes structures. Réalisation de composants N(+)NN(+) très performants vers 94 Ghz en InP. Début d'étude de composants à injection contrôlée de structure planaire. Cette étude permettra la réalisation à moyen terme de dispositifs à transfert électronique intégrable.