Abstract FR:

Nous avons étudié les phénomènes de transport électrique du semi- conducteur lamellaire InSe de type n. Nous avons effectué, sur ce composé, des mesures de conductivité, de magnétorésistance et d'effet Hall à basse température. Nous avons mis en évidence l'existence d'un comportement bidimensionnel à très basse température, lié au désordre naturel présent dans ce composé lors de sa croissance. Nos mesures expérimentales montrent que les effets de la localisation faible à deux dimensions sont prépondérants. La comparaison de nos résultats avec la théorie dite de "localisation faible" est satisfaisante. Elle nous a permis de montrer que l'épaisseur macroscopique réelle de nos échantillons ne joue pas un rôle essentiel dans la conduction électronique à basse température. A l'aide de cette théorie nous avons pu estimer l'épaisseur effective, de l'ordre de 200 A, qui contribue réellement à la conduction et montrer que le mécanisme de conduction dans ce régime bidimensionnel est gouverné par l'interaction électron-électron. A températures élevées (T ≥40 K), nous avons montré également que le composé InSe est un matériau inhomogène puisque la conductivité et la mobilité de Hall présentent, en fonction de la température, une dispersion nette des résultats expérimentaux, ce qui laisse à penser que la concentration des défauts présents dans le système n'est pas distribuée d'une manière homogène. L'inhomogénéité montre que la cristallogenèse du matériau InSe n'est pas maîtrisée et qu'il reste beaucoup d'efforts à faire dans ce domaine.