Abstract FR:

Ce travail de thèse a consisté à aborder la mesure de la température dans les semi-conducteurs. En effet, les applications de l'électronique utilisent des composants, en général des transistors, possédant un point chaud très localisé. La mesure de la température de ce point chaud est, pour certaines applications, nécessaire pour la mise en place d'un système de dissipation de la chaleur. Ce point chaud étant situé dans le composant, il est nécessaire de pouvoir mesurer la température en profondeur. Pour ce faire, la méthode proposée repose sur l'interférométrie entre deux ondes optiques dont l'une d'elles se propage dans le composant. Cette méthode interférométrique nécessite de connaître la variation de l'indice de réfraction avec la température ainsi que la dilatation, ces deux paramètres entrant dans la définition du chemin optique. Dans ces travaux, une première approche a consisté à quantifier l'indice de réfraction par une ellipsométrique. Des résultats sont présentés sur la variation de l'indice du Silicium avec la température. La seconde approche a reposé sur l'utilisation de franges d'interférences pour déterminer simultanément la température de surface, dépendant du coefficient de réflexion, et donc de l'indice de réfraction, et de la dilatation observable par le déplacement des franges dans l'espace. Ces travaux ont été effectués dans le cadre du projet AUDACE du pôle Mov'eo et les mesures effectuées ont été réalisées sur un composant électronique destiné à l'industrie.