Contribution à l'analyse quantitative des spectroscopies électroniques AES, EELS, EPES : application à la caractérisation des surfaces et interfaces InP (100)
Institution:
Clermont-Ferrand 2Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
L'analyse Auger met en évidence qu'un bombardement d'ions Ar**(+) de faible énergie (300 eV) libère aisément l'échantillon de la couche de contamination subsistant après le nettoyage chimique. L'étude des pertes d'énergie caractéristiques, et l'examen de la structure fine des spectres Auger, démontrent que l'exposition prolongée de la surface InP (100) à un faisceau d'ions Ar**(+) conduit à la formation d'ilots d’indium. Le suivi de la phase de recuit des échantillons met en évidence un réarrangement de la zone superficielle qui dépend de la température et de l'état initial de surface sur des surfaces InP (100) recuites, quelques expériences préliminaires ont été réalisées sur la création de l'interface Ag/InP (100)