Abstract FR:

LaMnO3 et CaMnO3, contenant du manganèse uniquement à l'état d'oxydation +III et +IV, respectivement, sont des isolants antiferromagnétiques. La présence simultanée de La et d'un élément divalent D provoque l'apparition d'une valence mixte Mn4+/Mn3+ rendant le composé paramagnétique-isolant à haute température et ferromagnétique-métallique à basse température. Dans ce travail, nous avons mis en évidence pour la première fois des propriétés de photoconductivité transitoire et persistante dans des films de manganites déficitaires en oxygène. Cette influence de la lumière sur les propriétés électriques a aussi bien été montrée sur des films de La0,7Ca0,3-xBaxMnO3-[delta] et La1-x-yPbx[carré]yMnO3-[delta] élaborés par des techniques sol-gel que sur des composés Pr2/3Sr1/3 MnO3-[delta] et La2/3Sr1/3MnO3-[delta] élaborés par ablation laser. En particulier, dans le cas des films La2/3Sr1/3MnO3-[delta], nous avons pu suivre l'influence de la teneur en oxygène sur les propriétés électriques et sur la photoconductivité. Pour de très faibles sous-stœchiométries en oxygène ([delta] = 0,1 typiquement) ayant pour effet de diminuer le rapport Mn4+/Mn3+, la transition isolant-métal est décalée vers les basses températures, où l'on observe également des effets de photoconductivité persistante. Pour une plus forte sous-stœchiométries en oxygène ([delta] = 0,2 typiquement), les films sont semi-conducteurs de 10 à 320 K et la lumière induit des transitions métalliques (pour des températures inférieures à 125 K). Pour les films de La1-x-yPbx[carré]yMnO3-[delta], nous avons également étudié l'influence des lacunes cationiques : celles-ci permettent d'obtenir des transitions isolant-métal à température ambiante, ainsi que des résistivités plus basses, tout en conservant des effets de photoconductivité.