Abstract FR:

Essai de compréhension des mécanismes par lesquels les dislocations limitent les performances des dispositifs à semiconducteurs par introduction dans le cristal de défauts de nature et de densité contrôlées. Dans le cas des composés III-V, il a été mis en évidence à partir d'essais de déformation en compression uniaxe que la plasticité provient de sources de surface. L'analyse du comportement plastique est complétée par une étude de l'activation thermique de glissement. Les propriétés galvanomagnétiques des échantillons déformés ont été ensuite étudiées. On a pu conclure à l'existence d'une bande extrinsèque associée aux dislocations située près de la bande de valence ; à un effet de piégeage du aux défauts ponctuels crées par le glissement des dislocations