Abstract FR:

L'amelioration du rendement des photopiles industrielles necessite la maitrise des procedes technologiques conduisant a leur realisation. L'evaluation globale de l'impact de ces procedes sur le dispositif final passe par la mesure de la duree de vie des porteurs minoritaires dans la base et de leur vitesse de recombinaison sur la surface arriere. Nous avons developpe une nouvelle methode experimentale qui permet la mesure simultanee de ces deux grandeurs dans les conditions reelles de fonctionnement et pour n'importe quel niveau d'injection. Elle consiste en l'exploitation de la courbe de tension aux bornes de la photopile enregistree durant le regime transitoire resultant du passage de la photopile d'une configuration de charge proche du circuit ouvert a la configuration du circuit ouvert proprement dite. Ce passage etant effectue sous illumination permanente provenant d'un simulateur du spectre solaire. La mise a l'epreuve de cette methode a travers plusieurs structures etalons (photopiles irradiees par un faisceau de protons, contacts arrieres ohmiques et differents niveaux d'injection) a demontre sa capacite pratique a evaluer la qualite d'une fabrication et a determiner l'origine des defauts eventuels. L'automatisation complete de la mesure permet son insertion dans n'importe quelle chaine de fabrication.