thesis
Dépôt de couches minces de tantale par pulvérisation et étude des interactions TA/SIO :(2) et TA/SI à basses températures
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Abstract FR:
Analyse par spectrométrie Auger des couches déposées par pulvérisation cathodique sur des substrats de silicium ou d'oxyde de silicium pour des températures comprises entre 50 et 500c. Certains échantillons sont élaborés en bombardant la couche durant sa formation à l'aide d'ions argon du plasma. Etude de la nature chimique des interactions entre TA et SI ou SIO::(2).